[18a-224B-1~10] 17.3 Layered materials

[18a-224B-4] Crystallinity Improvement of Sputtered-MoS₂ Film by Forming Gas Annealing through Passivation Film

〇Satoshi Igarashi¹, Kentaro Matsuura¹, Masaya Hamada¹, Haruki Tanigawa¹, Takuro Sakamoto¹, Iriya Muneta¹, Kuniyuki Kakushima¹, Kazuo Tsutsui¹, Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:semiconductor, sputter deposition, anneal

スパッタリング法により基板上に形成したMoS₂膜には硫黄欠損が存在し、結晶性が悪くなることが報告されている。本研究ではスパッタMoS₂膜上に保護膜を形成し、300~800℃でフォーミングガス(3% H₂ in N₂)雰囲気アニールを行い、結晶性改善を試みた。測定の結果、アニール温度を上げていくにつれてスパッタMoS₂膜の結晶性向上を確認した。さらに不活性ガス(Ar)よりフォーミングガス雰囲気中でのアニールにおいて結晶性向上を確認した。