[18a-224B-1~10] 17.3 層状物質

[18a-224B-4] 保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS₂ 膜の結晶性改善

〇五十嵐 智¹、松浦 賢太朗¹、濱田 昌也¹、谷川 晴紀¹、坂本 拓朗¹、宗田 伊理也¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東工大)

キーワード：半導体、スパッタリング、アニール

スパッタリング法により基板上に形成したMoS₂膜には硫黄欠損が存在し、結晶性が悪くなることが報告されている。本研究ではスパッタMoS₂膜上に保護膜を形成し、300~800℃でフォーミングガス(3% H₂ in N₂)雰囲気アニールを行い、結晶性改善を試みた。測定の結果、アニール温度を上げていくにつれてスパッタMoS₂膜の結晶性向上を確認した。さらに不活性ガス(Ar)よりフォーミングガス雰囲気中でのアニールにおいて結晶性向上を確認した。