[18p-136-1~15] 3.7 レーザープロセシング

△ [18p-136-8] フェムト秒レーザを用いたPDMSの改質による導電性構造作製

〇中島 康貴¹、Nedyalkov Nikolay²、片山 暁人¹、寺川 光洋³ (1.慶大院、2.Bulgarian Academy of Sciences、3.慶大)

キーワード：フェムト秒レーザ、シリコンカーバイド、ポリジメチルシロキサン

フェムト秒レーザを用い、PDMS表面にシリコンカーバイド (SiC) 構造を直接描画できることを実験実証する。PDMSに集光フェムト秒レーザパルスを照射したところ、レーザパルス照射したPDMS表面が導電性を有することが分かった。XRD結果から、レーザパルス照射したPDMS表面においてSiC構造が生成していることが明らかとなった。本研究は、SiCマイクロ構造を用いたフレキシブルデバイスの簡易な作製に活用できる。