[18p-146-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～窒化物プロセス技術の新展開～

[18p-146-7] スパッタ法AlN膜の高温アニールとその基板上へのAlGaN深紫外LED作製

永松 謙太郎¹、上杉 謙次郎¹、正直 花奈子²、吉田 治正¹、〇三宅 秀人^2,3 (1.三重大地域イノべ機構、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：窒化アルミニウム、窒化物半導体、アニール