[18p-234B-1~19] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

△ [18p-234B-5] Electrical properties of Ge-doped GaPN grown by molecular-beam epitaxy

〇Shunsuke Tanaka¹, Keisuke Yamane¹, Hiroto Sekiguchi¹, Hiroshi Okada¹, Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Tech.)

Keywords:semiconductor, crystal growth, Germanium dopant

GaP 系III-V-N 混晶では、SおよびMgを用いてそれぞれn 型およびp型の導電性制御が実証されている。しかしながらGaPN:S では、窒素添加によるキャリア濃度の低下が問題となっていた。これまでに我々は、Ge ドーパントを提案し、n-GaP の導電性制御の可能性を見出したが、窒素添加時の電気的特性の調査は不十分であった。本研究では窒素組成0-2%のGaPN:Geを成長することでGaPN:Sとは対照的に窒素添加によりキャリア活性化率が増加することを見出した。