[18p-PA5-1~28] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-PA5-11] デュアルゲート構造による高分子半導体トランジスタの実効移動度とスイッチング特性の向上

〇(B)田村 真貴¹、塩飽 黎¹、竹田 泰典¹、村瀬 友英²、松井 弘之¹、時任 静士¹ (1.山形大ROEL、2.三菱ケミカル株式会社)

キーワード：ポリマー半導体、ダブルゲート構造

今回我々は、電極層とp型高分子半導体層に溶液法を用いて、ボトムゲート（BG）構造、トップゲート（TG）構造、デュアルゲート（DG）構造の3種のOTFTを作製した。その結果、実用的な短チャネル構造かつ低電圧領域での実効移動度はTG構造とDG構造で高く、スイッチング特性はDG構造で急峻であることが分かった。さらに、それらの素子特性の違いが生じる要因を有限要素法に基づくデバイスシミュレーションによって明らかにした。