[18p-PA6-1~30] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-PA6-1] Activation of ion-implanted Mg in GaN by flash lamp annealing

〇Masato Ohmori¹, Takahiro Yamada², Hideaki Tanimura², Shinichi Kato², Naotaka Iwata³, Kouji Shiozaki¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd., 3.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:GaN, Ion implantation, flash lamp annealing

高性能GaNパワーデバイスの実現のため、イオン注入による不純物ドーピング技術の確立が重要な課題である。特にMgイオン注入によるp型ドーピングは、縦型FET構造や耐圧終端構造などの形成に必要不可欠で、ドーパント活性化率向上や注入誘起欠陥回復のための様々なアニール技術の研究が行われている。本研究では、キセノンランプからの瞬間放電を利用したフラッシュランプアニールにより、GaN結晶中でのMgの再拡散抑制を目的として、超短時間のMg活性化アニールを検討したので報告する。