[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-1] Mgイオン注入GaNのフラッシュランプアニールによる活性化

〇大森 雅登¹、山田 隆泰²、谷村 英昭²、加藤 慎一²、岩田 直高³、塩崎 宏司¹ (1.名大未来研、2.SCREENセミコンダクターソリューションズ、3.豊田工大)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、フラッシュランプアニール

高性能GaNパワーデバイスの実現のため、イオン注入による不純物ドーピング技術の確立が重要な課題である。特にMgイオン注入によるp型ドーピングは、縦型FET構造や耐圧終端構造などの形成に必要不可欠で、ドーパント活性化率向上や注入誘起欠陥回復のための様々なアニール技術の研究が行われている。本研究では、キセノンランプからの瞬間放電を利用したフラッシュランプアニールにより、GaN結晶中でのMgの再拡散抑制を目的として、超短時間のMg活性化アニールを検討したので報告する。