[18p-PA6-1~30] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [18p-PA6-27] 1.2 kV class Normally-off GaN Polarization Super Junction (PSJ) Transistors

〇Yuta Isa¹, Takeru Saito¹, Fumihiko Nakamura¹, Yusuke Kamiyama¹, Shuichi Yagi¹, Hiroji Kawai¹, Atsushi Tanaka², Yoshio Honda², Hiroshi Amano² (1.POWDEC K.K., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:recess, regrowth, 2DEG

これまで分極超接合（PSJ）方式を用いたノーマリーオンGaNトランジスタ（FET）とダイオードの実証を行ってきた。今回、リセスゲート構造を採用しPSJ FETのノーマリーオフ化を検討したので報告する。試作したPSJ FETはノーマリーオフ特性を示し、ドレイン電圧1000Vでのスイッチングにおいて電流コラプスが抑制されていることが確認された。