[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-5] 異なる気相成長法によるGaN基板上n-GaN中トラップの比較

〇(M1)伊藤 俊¹、徳田 豊¹、成田 哲生²、木村 大至²、中村 大輔²、冨田 一義²、加地 徹³ (1.愛知工大、2.豊田中研、3.名古屋大学)

キーワード：DLTS、HF-VPE