[18p-PB3-1~95] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[18p-PB3-45] Improvement of contact properties of graphene devices

〇Daeun Kim¹, Agus Subagyo², Yukari Koketsu¹, Eiji Hatta¹, Kazuhisa Sueoka¹ (1.Graduate School of IST, Hokkaido Univ., 2.CRIS, Hokkaido Univ.)

Keywords:graphene, graphene device, contact resistance

グラフェンを応用する電子デバイスにおいて、グラフェン/電極間の接合抵抗はデバイス性能を左右する極めて重要なパラメータである。本研究では、低抵抗なグラフェン接合を実現する目的として清浄なグラフェンエッジを接合するグラフェンデバイスの作製を試みた。グラフェンを切断するドライエッチング時のエッチングマスクとしてレジストと絶縁酸化物を検討し、TLM法を用いて評価した。