[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-47] ALD-Al₂O₃を用いた横型グラフェントンネルダイオードの作製

〇志賀 佳菜子¹、菅原 健太²、佐藤 昭²、吹留 博一²、尾辻 泰一²、内野 俊¹ (1.東北工大、2.東北大通研)

キーワード：グラフェン、ALD-Al2O3、トンネルダイオード

我々は前回、単層グラフェン間にプラズマSi₃N₄でトンネル絶縁膜を形成した横型グラフェントンネルダイオードにゲート電極を付加した新構造デバイスを作製し、ゲート電圧によってダイオードの極性をn型からp型に電気的に制御できることを報告した。今回はトンネル領域の絶縁膜としてALD-Al₂O₃薄膜を用いて横型グラフェントンネルダイオードを作製し、電気特性を評価したので、その結果について報告する。