[18p-PB3-1~95] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[18p-PB3-55] Fabrication of transfer-free graphene FETs with ALD-Al2O3 layers as the gate insulator

〇(M1)Motoki Kobayashi¹, Dorjdagva Bilguun¹, Kubo Toshikaru¹, Miyoshi Makoto¹, Egawa takashi¹ (1.NIT)

Keywords:graphene

金属触媒を凝集させる技術を用いることで転写フリー多層グラフェンを絶縁膜上に形成できる。我々はこれまで絶縁膜として蒸着法により形成したSiO₂膜を用いてFETを作製し、ドレイン電流のゲート電圧による変調を確認した。本研究ではデバイスの高性能化のため、誘電率の高いAl₂O₃膜を絶縁膜として使用することとし、成膜方法として、膜厚制御性および段差被覆性の良いALD法を用いてFETを作製し、その電気特性評価を行ったのでその結果を報告する。グラフェンの形成が確認できAl2O3膜をゲートに用いたグラフェンFETにおいてId-Vd測定においてVgに対しての変化が見られFET動作が確認できた。