[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-55] ALD-Al2O3膜をゲート絶縁膜に用いた転写フリーグラフェンFETの作製

〇(M1)小林 幹¹、ドルジダウガ ビルグーン¹、久保 俊晴¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大工)

キーワード：グラフェン

金属触媒を凝集させる技術を用いることで転写フリー多層グラフェンを絶縁膜上に形成できる。我々はこれまで絶縁膜として蒸着法により形成したSiO₂膜を用いてFETを作製し、ドレイン電流のゲート電圧による変調を確認した。本研究ではデバイスの高性能化のため、誘電率の高いAl₂O₃膜を絶縁膜として使用することとし、成膜方法として、膜厚制御性および段差被覆性の良いALD法を用いてFETを作製し、その電気特性評価を行ったのでその結果を報告する。グラフェンの形成が確認できAl2O3膜をゲートに用いたグラフェンFETにおいてId-Vd測定においてVgに対しての変化が見られFET動作が確認できた。