[18p-PB3-1~95] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[18p-PB3-78] Effect of Post-annealing on Sputter-deposited SnS2 Film

〇Kenjiro Hayashi^1,2, Masako Kataoka¹, Hideyuki Jippo^1,2, Mari Ohfuchi^1,2, Taisuke Iwai¹, Shintaro Sato^1,2 (1.Fujitsu Lab., 2.Fujitsu)

Keywords:Metal Chalcogenide, SnS2, Sputtered deposition

層状物質である金属カルコゲナイドは組成に応じた多様な性質を有することから、様々なデバ
イスへの応用が提案されている。今回、我々はスパッタリング堆積法を用いてSnS₂ 膜の作製を行い、膜質に対するポストアニールの影響を調べた。また、バックゲート型電界効果トランジスタを作製し、それを抵抗変化型のセンサーとし、ホルムアルデヒド暴露に対する動作検証も行った。