[19a-131-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-131-6] 多機能走査型プローブ顕微鏡によるSiC-ショットキーバリアダイオードの評価 2

〇内田 悠貴¹、中島 瑞貴¹、佐藤 宣夫¹、山本 秀和¹ (1.千葉工大工)

キーワード：SiC、走査型プローブ顕微鏡、表面電位顕微鏡

高性能パワーデバイスとしてシリコンパワーデバイスの性能向上が、継続的かつ精力的に行われてきた。その結果、シリコンとして引き出せる限界に近づいている。そのため高性能パワーデバイスとして、近年シリコンカーバイド(SiC)が注目され、デバイスが製造されている。そこで我々は、様々なパワーデバイスの多機能走査型プローブ顕微鏡による評価を行っている。今回、順バイアス及び逆バイアス有無におけるSiC-SBD(Schottky barrier diode)の評価をデバイスに電圧を印加する際、装置に電圧がかからないよう接触させずに測定した。