Influence of Fe2O3 Seed Layer on Thin Film Growth of BiFeO3 by MOCVD

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.1 Ferroelectric thin films

[19a-133-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

Wed. Sep 19, 2018 9:00 AM - 12:15 PM 133 (133+134)

Shintaro Yasui(Tokyo Tech), Takashi Nakajima(Tokyo Univ. of Sci.)

10:00 AM - 10:15 AM

〇(M2)Nao Yoshimura¹, Hironori Fujisawa¹, Seiji Nakashima¹, Masaru Shimizu¹ (1.Univ. of Hyogo)

Keywords:BiFeO3, MOCVD, composition control

MOCVD法によってシード層を用いたBFO薄膜を成膜した．
BFO薄膜は絶縁性の低さが課題であるが，シード層挿入により組成制御性及び絶縁性向上を実現した．