[19a-212B-1~10] 1.3 新技術・複合新領域

[19a-212B-5] 埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS₂/HfS₂トンネルFET

〇(M2)張 文倫¹、祢津 誠晃¹、金澤 徹¹、雨宮 智宏¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大)

キーワード：二次元材料、トンネルFET、ゲートリーク

二次元遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)はバンドギャップを有する層状物質群であり，複数のTMDをvan der Waals結合によって重ねあわせることで，表面ダンリングボンドが存在しないことから，理想的なトンネル界面を創ることができる.従って，TMDは高性能なトンネルFETの材料として超低消費電力デバイス応用が期待されている.当研究グループは，p型のMoS₂をソース，HfS₂をドレインとして，Type-IIヘテロ構造トンネルFETの動作を報告している.一方で，デバイスの急峻性を示すサブスレッショルドスロープ(SS)が700 mV/decと非常に大きいことが問題となっていた.本発表では，その改善へ向けた取り組みについて報告する.