[19a-233-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-233-10] Smart-Cut法を用いて作製したGe-on-Insulatorの極性変化

〇仲江 航平¹、薛 飛達¹、山本 圭介¹、王 冬¹、中島 寛²、Zhang Miao³、Xue Zhongying³、Di Zengfeng³ (1.九大総理工、2.九大GIC、3.中国科学院SIMIT)

キーワード：半導体、GOI、スマートカット