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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-233-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月19日(水) 09:00 〜 12:00 233 (233)

米谷玲皇(東大)

11:15 〜 11:30

[19a-233-9] 中空構造SOI層の低温転写技術を用いたフローティングゲート作製
プロセス技術に関する研究

〇(M2)近藤史康¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：フレキシブルエレクトロニクス