[19p-131-1~15] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-131-10] デバイス工程中の炭素クラスター注入領域の水素吸着脱離挙動解析

〇奥山 亮輔¹、柾田 亜由美¹、小林 弘治¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、門野 武¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：水素、炭素クラスター

CMOSイメージセンサの高性能化のために、炭素クラスターイオン注入エピタキシャルウェーハの開発をおこなってきた。炭素クラスター注入領域はエピタキシャル成長後も水素を捕獲かつ再放出する特徴を有している。しかしながら、デバイス工程ではプラズマCVD膜等の水素が高濃度に存在する雰囲気となる。本報告ではデバイス工程中の水素が炭素クラスター注入領域に吸着される挙動を明らかとした。さらに、炭素クラスター注入領域における水素の捕獲・拡散挙動に関して、評価、解析をおこなったので報告する。