2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[19p-131-1~15] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2018年9月19日(水) 13:30 〜 17:45 131 (131+132)

沓掛 健太朗(名大)、太子 敏則(信州大)、清水 康雄(東北大)

17:30 〜 17:45

[19p-131-15] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(XVII) 1014atoms・cm-3のポリシリコンの赤外吸収測定

井上 直久1,2、川又 修一2 (1.東京農工大学、2.大阪府立大学)

キーワード:シリコン結晶、炭素不純物濃度測定、赤外吸収

ポリシリコンの炭素濃度はFZ結晶を成長して見積られる。成長時に汚染されることを明らかにしメーカの要望によりポリシリコンの直接測定を検討した。参照試料は電子線照射により置換型炭素を10^13/cm^3台下半に低減したFZ結晶を用いた。フォノン部分妨害吸収を熱処理により抑制し、Lorentzフィッティングにより消去した。参照試料との濃度差は検出されず10^14/cm^3以下であることを確認できた。