[19p-131-1~15] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-131-8] 高濃度PドープSiウェーハ中における偏析型ゲッタリング機構

〇尾崎 理衣¹、鳥越 和尚¹、水野 泰輔¹、山本 一弘¹ (1.SUMCO)

キーワード：半導体、シリコン、ゲッタリング

P濃度が10¹⁹ cm^-3を超えるn型SiウェーハではCuの偏析型ゲッタリングが生じる。このゲッタリングは、格子位置に入ったCuとPによるP-Cu結合に起因すると考えられている。この反応が起こるには、Pに隣接する位置に空孔（V）が存在しP-Vペアを形成する必要があるが、その発生メカニズムは明らかでない。そこで本研究ではAs-grownのウェーハとRapid Thermal Anneal処理したウェーハのCuゲッタリング効率を比較することでP-Vペアが形成される起源を考察した。