[19p-133-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

[19p-133-10] Improvement of polarization characteristics by optimizing heat treatment condition and IrO_x oxidation state, and crystallization mechanism analysis in IrO_x / PLZT / Pt

〇KENJI NOMURA¹, Wensheng Wang², Hideshi Yamaguchi¹, Ko Nakamura², Takashi Eshita^2,3, Soichiro Ozawa², Kazuaki Takai², Satoru Mihara², Yukinobu Hikosaka², Makoto Hamada², Manabu Kojima², Yuji Kataoka¹ (1.Fujitsu Lab., 2.Fujitsu Semiconductor Ltd., 3.Wakayama Univ.)

Keywords:ferroelectric random access memory, IrOx/PLZT/Pt

強誘電体メモリ(FRAM)用のIrO_x/PLZT/Ptキャパシタにおいて、熱処理工程と上部電極IrO_x酸化度の最適化により、分極特性が大きく向上することを見出した。特性向上のプロセス要件は2つある。1つ目は低温でPLZTをペロブスカイト化した後にIrO_xを成膜し、さらに高温で再熱処理するという熱処理工程にある。2つ目はIrO_x膜をIrO₂とIrの混晶状態にすることである。見出したプロセス条件がIrO_x/PLZT界面における結晶の再構成を促し、特性が向上したことを示唆する。