2:15 PM - 2:30 PM
[19p-136-3] Formation of InP film with high flatness via controlling the wettability of the precursors
Keywords:Indium Phosphide, Wettability, Phosphidation
III-V化合物半導体InPは光吸収層として適した約1.34 eVのバンドギャップを持つ. 本研究では, 従来の作製方法より簡便かつ低コストなリン化法を用いて, Inを堆積させる基板材料を検討することでInの濡れ性を制御し, 高い平坦性を有するInP薄膜の作製を試みた. 講演では, 基板材料に対するInの濡れ性の調査, Inのリン化メカニズムおよび作製したInP膜の物性について報告する.