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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年9月19日(水) 13:15 〜 19:15 146 (レセプションホール)

ホームズマーク(東大)、舘林潤(阪大)、谷川智之(東北大)

16:00 〜 16:15

[19p-146-11] m面サファイア上に成長した(11-22)面AlGaN量子井戸の発光特性

〇定昌史¹、糸数雄吏¹、平山秀樹¹ (1.理研)

キーワード：半極性、窒化物半導体