[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-146-16] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法で作製したInGaN/GaN多重量子井戸ナノピラーにおける発光特性のサイズ依存性

〇生江 祐介¹、伊藤 大智¹、川﨑 祐生¹、大江 優輝¹、松岡 明裕¹、森谷 祐太¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大・理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：ナノ構造、窒化物、窒化ガリウム

InGaN/GaN量子井戸ナノ構造は、歪緩和効果や貫通転位隔離効果、光取出効率の向上などによる発光特性の向上をもたらす魅力的な材料である。我々は水素雰囲気中でのGaNの熱分解反応を利用し、低損傷極微細加工が可能な水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法の研究を行い、GaNのエッチング特性やInGaN/GaNナノ構造LEDの作製等を報告してきた。本発表では、HEATE法でInGaNディスク直径を38 から2020 nmまで系統的に変化させ作製した、InGaN/GaNナノピラーアレイのフォトルミネッセンス(PL)発光特性のInGaNディスク直径依存性について報告する。