[19p-146-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [19p-146-9] Substrate off-angle and direction dependences on DUV-LED characteristics

〇Hisanori Kojima¹, Takuma Ogasawara¹, Myunghee Kim¹, Kazuyoshi Iida¹, Norikatsu Koide¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center, Nagoya Univ)

Keywords:off-angle, off-direction, DUV-LED

これまでに数度のオフ角サファイア基板を用いることで、AlGaNの転位密度の減少を確認している。本報告では、c面サファイア基板上深紫外LEDの発光特性を中心に、3° までのオフ角度、さらにa軸を含むオフ方向依存性について検討した。結果、I-L特性ではm軸1.0° 基板上LEDが高電流注入時で高い光出力を示した。この結果は、AlGaNテンプレートのX線回折曲線の半値幅、すなわちテンプレート結晶品質と一定の相関があるように思われる。