[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-146-9] 深紫外LED発光特性の基板オフ角・方向依存性

〇小島 久範¹、小笠原 多久満¹、金 明姫¹、飯田 一善¹、小出 典克¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、赤崎 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：オフ角、オフ方向、深紫外LED

これまでに数度のオフ角サファイア基板を用いることで、AlGaNの転位密度の減少を確認している。本報告では、c面サファイア基板上深紫外LEDの発光特性を中心に、3° までのオフ角度、さらにa軸を含むオフ方向依存性について検討した。結果、I-L特性ではm軸1.0° 基板上LEDが高電流注入時で高い光出力を示した。この結果は、AlGaNテンプレートのX線回折曲線の半値幅、すなわちテンプレート結晶品質と一定の相関があるように思われる。