[19p-233-1~12] Create a path of future semiconductor devices by new materials and processes

△ [19p-233-11] Device and Process Design for HfO₂-Based Ferroelectric Tunnel Junction Memory toward Large Tunneling Electroresistance Effect and Multi-level Cell

〇(M2)Yusaku Tagawa¹, Mo Fei¹, Saraya Takuya¹, Hiramoto Toshiro¹, Kobayashi Masaharu¹ (1.IIS, Univ. of Tokyo)

Keywords:ferroelectric, tunnel junction, HfO2

我々は、強誘電HfO₂を用いた強誘電トンネル接合メモリ（FTJ）の金属/強誘電体/半導体接合の構造において金属電極を置換するプロセスを開発し、実験的に多値メモリ性を有した巨大なトンネル電気抵抗比30を4nmの強誘電膜厚において達成した。強誘電HfO₂を用いたFTJはインメモリ・コンピューティングのような新規的なアプリケーションと同様、低コストの埋め込み型不揮発性メモリの新しい道を開く可能性がある。