[19p-233-1~12] 材料・プロセスが切り開く未来半導体デバイス

△ [19p-233-11] 高TER・多値メモリ性を有するHfO₂強誘電トンネル接合メモリのためのデバイスおよびプロセス設計

〇(M2)多川 友作¹、莫 非¹、更屋 拓哉¹、平本 俊郎¹、小林 正治¹ (1.東大生研)

キーワード：強誘電、トンネル接合、HfO2

我々は、強誘電HfO₂を用いた強誘電トンネル接合メモリ（FTJ）の金属/強誘電体/半導体接合の構造において金属電極を置換するプロセスを開発し、実験的に多値メモリ性を有した巨大なトンネル電気抵抗比30を4nmの強誘電膜厚において達成した。強誘電HfO₂を用いたFTJはインメモリ・コンピューティングのような新規的なアプリケーションと同様、低コストの埋め込み型不揮発性メモリの新しい道を開く可能性がある。