2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-436-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年9月19日(水) 13:45 〜 18:45 436 (436)

鵜殿 治彦(茨城大)、寺井 慶和(九工大)、山口 憲司(量研機構)、原 康祐(山梨大)

17:15 〜 17:30

[19p-436-13] 紫外から赤外領域におけるII型Geクラスレート膜の光吸収スペクトル

前田 拓磨1、ジャ ヒマンシュ1、大橋 史隆1、久米 徹二1、野々村 修一1 (1.岐大工)

キーワード:クラスレート、半導体、光吸収スペクトル

本研究では新規半導体として期待できる透明基板上に合成したNa内包2型Geクラスレート(NaxGe136)膜を用いてUV-visおよびIR領域において光透過率測定を行い、光吸収特性の評価を試みた。