[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-PA4-14] Growth of N-polar GaN on 4H-SiC (000

1

) substrate by RF-MBE

〇(M2)Ryo Sugiura¹, Kengo Takamiya¹, Syuhei Yagi¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:GaN, N-polar, MBE

GaNはGa極性およびN極性の2つの異なる極性面を有し、その極性を制御することは重要な研究課題である。六方晶SiCのSi面あるいはC面を利用したGaNの極性制御に関する先駆的な研究がMOVPE成長で行われているが、RF-MBE成長による六方晶SiCのC面を利用したN極性GaNの作製についての報告はほとんどない。本研究ではRF-MBE法を用いて4H-SiC(000-1)基板上へＮ極性GaNの作製を試みた。