[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-14] RF-MBE法による4H-SiC(000

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)基板上へのN極性GaNの作製

〇(M2)杉浦 亮¹、高宮 健吾¹、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：窒化ガリウム、窒素極性、分子線エピタキシー法

GaNはGa極性およびN極性の2つの異なる極性面を有し、その極性を制御することは重要な研究課題である。六方晶SiCのSi面あるいはC面を利用したGaNの極性制御に関する先駆的な研究がMOVPE成長で行われているが、RF-MBE成長による六方晶SiCのC面を利用したN極性GaNの作製についての報告はほとんどない。本研究ではRF-MBE法を用いて4H-SiC(000-1)基板上へＮ極性GaNの作製を試みた。