[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-15] エピタキシャルグラフェン上極薄AlN中間層を用いたGaN成長におけるa軸配向制御

〇鎌田 裕太¹、寺井 汰至¹、竹内 智哉¹、佐藤 祐大¹、橋本 明弘¹ (1.福井大院工)

キーワード：GaN