[19p-PB7-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[19p-PB7-6] 真空蒸着と低温アニールによるSn媒介GeSnナノドット形成

〇(M2)対馬 和都¹、滝田 健介¹、俵 毅彦²、舘野 功太²、章 国強²、後藤 秀樹²、岡本 浩¹ (1.弘前大理工、2.NTT物性基礎研)

キーワード：ナノドット、ゲルマニウム、スズ

これまでに真空蒸着と低温アニールによる、Biを媒介したGeナノドットの形成手法を提案してきた。今回新たにSnを媒介材料としたGeSnナノドットの形成を試みた結果、アニール温度200℃においても結晶形成が確認された。Sn組成はドット間及びドット内で3～17％程度とばらつきがみられたが、Sn組成5％程度で偏析が認められないナノドットも存在した。Sn膜厚によってナノドットの形状が制御できることもわかった。