[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-7] ZnO系透明導電膜における基板位置による電気特性の不均一の改善

〇杉浦 怜¹、正力 幹也¹、舩木 修平¹、山田 容士¹ (1.島根大総理工)

キーワード：酸化亜鉛、スパッタリング法、アニール