[20a-141-1~13] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20a-141-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Impact of Gate Oxide Thickness and/or Post-oxidation Nitridation Treatment

〇Munetaka Noguchi¹, Toshiaki Iwamatsu¹, Hiroyuki Amishiro¹, Hiroshi Watanabe¹, Koji Kita², Naruhisa Miura¹ (1.Mitsubishi Electric Corp., 2.University of Tokyo)

Keywords:SiC, inversion layer, mobility

近年、SiC MOS反転層における電子散乱機構を実験的に評価する手法が提案され、各散乱移動度の実験的評価が可能となった。本研究では先行研究の手法を用い、ゲート酸化膜厚および窒化処理がフォノン散乱移動度およびクーロン散乱移動度に及ぼす影響を検討した。その結果、フォノン散乱移動度は、窒化処理の影響を受けず、かつ熱酸化の初期段階で定まることが判明したので報告する。