[20a-141-1~13] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20a-141-2] Effect of NO post-oxidation annealing on Hall effect mobility of 4H-SiC(0001) MOSFET fabricated on low-doping concentration substrate

〇Mitsuru Sometani¹, Takuji Hosoi², Tetsuo Hatakeyama¹, Shinsuke Harada¹, Hiroshi Yano³, Takayoshi Shimura², Heiji Watanabe², Yoshiyuki Yonezawa¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.Osaka Univ., 3.Univ. of Tsukuba)

Keywords:SiC, Hall effect mobility, NO-POA

SiC-MOSデバイスのオン抵抗の低減に向けて、チャネル移動度の向上が必要不可欠である。電界効果移動度は界面準位による可動電子捕獲と、可動電子に対する散乱により制約される。これまでドライ酸化や酸窒化等の酸化膜形成条件が界面準位密度に与える影響に関しての報告は多いが、可動電子の移動度に対しては報告が少ない。今回、pエピ膜のドーピング濃度を変えながら、酸化条件がホール効果移動度に与える影響を調べた。