[20a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20a-141-7] 半絶縁性SiC基板へのイオン注入により作製したノーマリオフ型サイドゲートn-JFETおよびp-JFETの400℃動作

〇(M1)中島 誠志¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：高温動作、JFET、ノーマリオフ

SiC JFETは厳環境で動作可能な論理回路素子の有力候補である。消費電力低減の観点からノーマリオフ型のn-JFET、p-JFETを組み合わせた相補型JFETによる論理回路が理想的であるが、エピタキシャル層を利用した場合、同一基板上のノーマリオフn-JFET、p-JFETの作製は困難である。本研究では、半絶縁性基板へのイオン注入によりサイドゲート構造を有するn-JFET、p-JFETを作製し、室温から400℃でのノーマリオフ動作を確認した。