[20a-233-1~9] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[20a-233-2] Analyses of As doped in Si activated and deactivated by flash lamp annealing and post annealing using soft X-ray photoelectron spectroscopy

〇(M2)Tatsuhiro Ogawa¹, Kotaro Natori¹, Takuya Hoshii¹, Masashi Nakatake², Yoshio Watanabe², Tutomu Nagayama³, Takahiro Higuchi³, Shinichi Kato⁴, Hideaki Tanimura⁴, Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Kazuo Tsutsui¹ (1.Tokyo Tech, 2.Aichi SR, 3.Nissin Ion, 4.SCREEN)

Keywords:XPS, As, Flash Lamp Annealing

Si中にドープした不純物の高濃度活性化には不純物元素やクラスター構造を観察することが有用である. これまでの研究で光電子ホログラフィー技術によりSi中Asの占有構造の特徴抽出と電気的活性/不活性の対応付けに成功している. 今回, 非熱平衡性の高いフラッシュランプアニール法で活性化処理したAsの状態を, その後のポストアニールで不活性化する現象も含めて, 軟X線光電子分光により観測した.