[20a-233-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-233-4] リン酸塗布方式エキシマレーザードーピングを施した低温多結晶Si薄膜の電気特性

〇妹川 要^1,2、田中 希¹、諏訪 輝^1,2、中村 大輔¹、佐道 泰造¹、後藤 哲也³、池上 浩^1,2 (1.九州大学、2.九州大学ギガフォトン共同研究部門、3.東北大学)

キーワード：エキシマレーザー、ドーピング、低温ポリシリコン

TFTのチャネル材料として用いられている低温ポリシリコン(LTPS)はa-Siをエキシマレーザーアニーリング（ELA）することで形成される。一方でTFTのコンタクト抵抗低減のためにLTPSへのイオン注入やCVDなどの真空、高温プロセスが必要とされており、我々はこれまで真空を用いない安価な低温プロセスとしてリン酸塗布によるKrFエキシマレーザードーピングについて報告してきた。本稿ではリン酸溶液塗布ドーピングしたLTPSの電気特性について報告する。