[20a-233-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-233-6] CWレーザーSi薄膜結晶成長における（100）配向性のパワー依存性

〇佐々木 伸夫^1,2、Muhammad Arif²、浦岡 行治² (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)

キーワード：結晶成長、低温ポリシリコン、CWレーザー

粒状領域およびラテラル結晶領域を含むパワー域において(100)配向率の変化を検討した。配向率はラテラル成長の閾値パワー近傍において、最大値を示している。