[20a-233-1~9] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[20a-233-7] Crystallization of amorphous Ge aged at room temperature by flash-lamp annealing

〇Ryusuke Nakamura¹, Masayuki Okugawa¹, Akira Heya², Naoto Matsuo², Hidehiro Yasuda³ (1.Osaka Pref. Univ., 2.Univ. of Hyogo, 3.Osaka Univ.)

Keywords:amorphous germanium, crystallization, flash-lamp annealing

スパッタリングで作製したアモルファスGe（a-Ge）薄膜は室温での時効によって構造がより不規則になること，そして，それに応じて結晶化組織が変化する．本研究では，時効期間の異なるa-Geに対して，フラッシュランプアニール（FLA）法による結晶化挙動を調べた．電子線や加熱結晶化と同様に，FLA結晶化でも室温時効，すなわち，初期のアモルファス構造に応じて結晶化ミクロ組織が異なることを報告する．