2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-233-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月20日(木) 09:30 〜 11:45 233 (233)

野口 隆(琉球大)、東 清一郎(広島大)

11:30 〜 11:45

[20a-233-9] シリコンウエハ表面の円曲加工技術開発

青木 画奈1、石黒 敬太2、出野上 真樹2、棚橋 雄也2、古澤 健太郎1、関根 徳彦1、阿尻 雅文3、藤井 稔2 (1.情報通信研究機構、2.神戸大学、3.東北大学)

キーワード:3次元、微細加工、シリコン

電子デバイスの基幹材料であるシリコン (Si) の加工技術は進化し続けているが、機械加 工の曲げ加工に相当する技術はまだ不在である。本研究では、シリコンウエハ表面を陽極酸化法 で多孔質化し、所定の形状にパターニングした後、水蒸気酸化を施すことにより、チューブ、ボ ウル、中空球などに円曲変形させる技術を開発した。更に、構造力学の観点からパターン変 形のメカニズムを解析し、任意の 3 次元構造体を得るための設計指針を確立した。