[20a-234A-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-234A-2] 酸素負イオン照射した錫添加 In₂O₃薄膜における特異なキャリア輸送特性

〇古林 寛¹、北見 尚久^1,2、酒見 俊之²、木下 公男²、前原 誠²、牧野 久雄¹、山本 哲也¹ (1.高知工科大総研、2.住友重機械)

キーワード：酸化インジウム、電気輸送特性、粒界

錫添加 In₂O₃ (ITO) は透明導電膜として最も広く用いられている。通常、ITO 多結晶薄膜の電気特性モデルとしては、伝導を担う結晶子が有限サイズの障壁 (粒界) で隔てられていると考える。その場合、ホール移動度 (µ_H) は光学移動度 (µ_opt) よりも小さいと想定される。一方、本研究では酸素負イオン (O^-) 照射後の ITO 薄膜において、µ_H > µ_opt となる照射条件が見出された。 µ_H には粒界がキャリア輸送に与える情報が含まれ 、伝導経路が粒界にも存在するという可能性の議論が必要となる。