[20a-234A-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-234A-4] ミストCVD法によるAlTiO絶縁膜の作製と評価

〇西山 光士¹、西村 和樹¹、津田 貴昭¹、尹 強²、谷田部 然治³、須恵 耕二²、中村 有水^4,5 (1.熊大院自、2.熊大工、3.熊大院先導、4.熊大院先端、5.くまもと有機薄膜セ)

キーワード：ミストCVD、AlTiO、絶縁膜