[20a-331-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [20a-331-11] Temperature Dependence of Barrier Height for Ni/n-GaN Schottky Barrier Diodes with Various Donor Concentrations

〇(M1)Ryosuke Murase¹, Takuya Maeda², Kazutaka Kanegae², Masahiro Horita², Jun Suda^1,2,3 (1.Nagoya Univ., 2.Kyoto Univ., 3.IMaSS)

Keywords:Schottky Barrier Diode, Barrier Height, GaN

Ni/n-GaN SBDの普遍的な現象解明のために、先行研究と異なるドナー密度で複数のNi/n-GaN SBDを作製し、C-V 測定により障壁高さの温度依存性を評価した。障壁高さは試料ごとに多少異なるが、その温度依存性は-(2.1~2.2) ×10^-4 eV/Kと、ドナー密度に関わらず同一の結果が得られた。2桁異なるドナー密度のSBDにおいても障壁高さの温度依存性は同一であり、この温度依存性はNi/n-GaN SBDの普遍的な特性を反映していると考えられる。