[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-331-11] GaN自立基板上Ni/n-GaN SBDにおける障壁高さ温度特性の
ドナー密度依存性

〇(M1)村瀬 亮介¹、前田 拓也²、鐘ヶ江 一孝²、堀田 昌宏²、須田 淳^1,2,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来材料・システム研究所)

キーワード：ショットキーバリアダイオード、障壁高さ、窒化ガリウム

Ni/n-GaN SBDの普遍的な現象解明のために、先行研究と異なるドナー密度で複数のNi/n-GaN SBDを作製し、C-V 測定により障壁高さの温度依存性を評価した。障壁高さは試料ごとに多少異なるが、その温度依存性は-(2.1~2.2) ×10^-4 eV/Kと、ドナー密度に関わらず同一の結果が得られた。2桁異なるドナー密度のSBDにおいても障壁高さの温度依存性は同一であり、この温度依存性はNi/n-GaN SBDの普遍的な特性を反映していると考えられる。