[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-331-5] GaN自立基板上に成長したドリフト層中の欠陥生成におけるオフ角の影響

〇塩島 謙次¹、佐川 知大¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、三島 友義³ (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大)

キーワード：GaN、ウエハーオフ角、過渡容量分光法

深い準位の欠陥生成における表面オフ角の影響をDLTS法により評価した。a軸、m軸の各方向ともに低オフ角領域で、E3欠陥濃度が増加し、キャリア濃度が低する傾向がみられる。低オフ角ほど成長中にCが多く取り込まれ、キャリアの補償、E3欠陥の生成が行われたと考えられる。